IPS12CN10L G參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3-11
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500系列：OptiMOS™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：69A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：11.8毫歐@69A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.4V@83µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：58nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：5600pF@50V功率-最大值：125W安裝類型：通孔封裝：TO-251-3短引線，IPak，TO-251AA供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3
